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功率器件静态测试系统
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功率器件静态测试系统
普赛斯功率器件静态测试系统集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点
服务承诺:原厂直销、服务完善!
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  • 集电极-发射极 最大电压 3500V
  • 最大电流 6000A
  • 大电压上升沿 典型值5ms
  • 大电流上升沿 典型值15us
  • 大电流脉宽 50us~500us
  • 漏电流测试范围 1nA~100mA
  • 栅极-发射极 最大电压 300V
  • 最大电流 1A(直流)/10A(脉冲)
  • 最小电压分辨率 30uV
  • 最小电流分辨率 10pA

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统,集多种测量和分析功能一体,可以精准测量不同封装类型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半导体等)的静态参数,具有高电压和大电流特性、μΩ级J确测量、nA级电流测量能力等特点。支持高压模式下测量功率器件结电容,如输入电容、输出电容、反向传输电容等。 

普赛斯PMST功率器件静态参数测试系统配置有多种测量单元模块,模块化的设计测试方法 灵活,方便用户添加或升级测量模块,适应测量功率器件不断变化的需求。

产品特点:

高电压:支持高达3.5KV高电压测试(最大扩展至10kV);

大电流:支持高达4KA大电流测试(多模块并联);

高精度:支持uΩ级导通电阻、nA级漏电流测试;

丰富模板:内置丰富的测试模板,方便用户快速配置测试参数;

配置导出:支持一键导出参数配置及一键启动测试功能;

数据预览及导出:支持图形界面以及表格展示测试结果,亦可一键导出;

模块化设计:内部采用模块化结构设计,可自由配置,方便维护;

可拓展:支持拓展温控功能,方便监控系统运行温度;

可定制开发:可根据用户测试场景定制化开发;

高偏压下C-V测试;

►夹具带互锁







系统参数

项目参数
集电极-发射极最大电压3500V
最大电流

4000A

精度0.1%
大电压上升沿典型值5ms
大电流上升沿典型值15us
大电流脉宽50us~500us
漏电流测试范围1nA~100mA
栅极-发射极最大电压300V
最大电流1A(直流)/10A(脉冲)
精度0.1%
最小电压分辨率30uA
最小电流分辨率10pA


功率器件静态测试系统主要由多台源表、电桥、矩阵开关、PC、上位机控制软件、夹具盒等组成。针对不同的测试需求,用户可以选择不同源表、夹具等。

PMST系统配置

关键参数

备注

P系列
脉冲源表

PW高达30V/10A、300V/1A

栅极特性测试

CW高达300V/0.1A、30V/1A

最小脉冲宽度200uS

HCP系列
大电流脉冲源表

PW高达30V/100A

IGBT导通压降、二极管瞬时前向电压测试

CW高达10V/30A

最小分辨率30uV/10pA

最小脉冲宽度80uS

HCPL系列
高电流脉冲电流源

单台PW高达12V/1000A,可多台并联

最小脉冲宽度50uS

E系列
高电压源测单元

CW高达3500V/100mA

IGBT击穿电压测试

最小分辨率10mV/100pA

测量精度 0.1%

电桥

频率范围:20Hz~1MHz

IGBT各级间电容测试

HVP系列提供0~400V直流偏置电压

S系列提供0~30V直流偏置电压

预置偏置电阻100kΩ

矩阵开关

/

电路切换及源表切换

主机

/


测试夹具

根据器件封装形式定制



系统具体配置由用户自行选择,以车规IGBT为例,一般配置如下:

设备名称数量功能
P300脉冲源表1台测试栅极(基极)特性;
E100高电压源测单元1台测试集电极发射极(漏极源极)耐压及漏电流;
HCPL100高电流脉冲电源1台测试功率管导通电阻及续流二极管前向压降;
电桥1台客户指定或我司推荐,测试各极间电容;
PC机1台运行我司上位机软件程序;
矩阵开关1台按照国际要求进行电路切换及源表切换;
夹具至少1个针对不同的封装形状需要使用不同的测试夹具;


功率器件:

♦二极管

♦三极管

♦MOS管

♦IGBT

♦SIC

♦GaN


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